* 调试器：MSP430FET全系列JTAG仿真器
* 调试软件： IAR Embedded Workbench Version: 3.41A 编译
**************************************************/

#include <msp430x13x.h>
#include <intrinsics.h>

////管脚定义////////////////////////////////////////////////////////////////////
#define LCD_EN_PORT P5OUT //以下2个要设为同一个口
#define LCD_EN_DDR P5DIR
#define LCD_RS_PORT P5OUT //以下2个要设为同一个口
#define LCD_RS_DDR P5DIR
#define LCD_DATA_PORT P4OUT //以下3个要设为同一个口
#define LCD_DATA_DDR P4DIR //一定要用高4位
#define LCD_RS BIT0
#define LCD_EN BIT1
#define LCD_DATA BIT4|BIT5|BIT6|BIT7

////预定义函数//////////////////////////////////////////////////////////////////
void LCD_init(void);
void LCD_en_write(void);
void LCD_write_command(unsigned char command);
void LCD_write_data(unsigned char data);
void LCD_set_xy (unsigned char x, unsigned char y);
void LCD_write_string(unsigned char X,unsigned char Y,unsigned char *s);
void LCD_write_char(unsigned char X,unsigned char Y,unsigned char data);
void delay_nus(unsigned int n);
void delay_nms(unsigned int n);

void main()
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog

LCD_init();
LCD_write_string(1,0,"www.goodmcu.cn");
LCD_write_string(2,1,"13652037001");
delay_nms(50);
LCD_write_command(0x01); //清屏
delay_nms(50);
LCD_write_char(2,1,'1');
delay_nms(50);
LCD_write_char(3,1,'3');
delay_nms(50);
LCD_write_char(4,1,'6');
delay_nms(50);
LCD_write_char(5,1,'5');
delay_nms(50);
LCD_write_char(6,1,'2');
delay_nms(50);
LCD_write_char(7,1,'0');
delay_nms(50);
LCD_write_char(8,1,'3');
delay_nms(50);
LCD_write_char(9,1,'7');
delay_nms(50);
LCD_write_char(10,1,'0');
delay_nms(50);
LCD_write_char(11,1,'0');
delay_nms(50);
LCD_write_char(12,1,'1');
}
//LCD液晶操作函数///////////////////////////////////////////////////////////////
//LCD1602液晶初始化
void LCD_init(void)
{
LCD_DATA_DDR|=LCD_DATA; //数据口方向为输出
LCD_EN_DDR|=LCD_EN; //设置EN方向为输出
LCD_RS_DDR|=LCD_RS; //设置RS方向为输出

LCD_write_command(0x28); //4位数据接口
delay_nus(40);
LCD_write_command(0x28); //4位显示
LCD_write_command(0x0c); //显示开
LCD_write_command(0x01); //清屏
delay_nms(2);
}
//液晶使能
void LCD_en_write(void)
{
LCD_EN_PORT|=LCD_EN;
delay_nus(1);
LCD_EN_PORT&=~LCD_EN;
}
//写指令
void LCD_write_command(unsigned char command)
{
delay_nus(16);
LCD_RS_PORT&=~LCD_RS; //RS=0
LCD_DATA_PORT&=0X0f; //清高四位
LCD_DATA_PORT|=command&0xf0; //写高四位
LCD_en_write();
command=command<<4; //低四位移到高四位
LCD_DATA_PORT&=0x0f; //清高四位
LCD_DATA_PORT|=command&0xf0; //写低四位
LCD_en_write();
}
//写数据
void LCD_write_data(unsigned char data)
{
delay_nus(16);
LCD_RS_PORT|=LCD_RS; //RS=1
LCD_DATA_PORT&=0X0f; //清高四位
LCD_DATA_PORT|=data&0xf0; //写高四位
LCD_en_write();
data=data<<4; //低四位移到高四位
LCD_DATA_PORT&=0X0f; //清高四位
LCD_DATA_PORT|=data&0xf0; //写低四位
LCD_en_write();
}
//写地址函数
void LCD_set_xy( unsigned char x, unsigned char y )
{
unsigned char address;
if (y == 0) address = 0x80 + x;
else address = 0xc0 + x;
LCD_write_command( address);
}
//LCD在任意位置写字符串
//列x=0~15,行y=0,1
void LCD_write_string(unsigned char X,unsigned char Y,unsigned char *s)
{
LCD_set_xy( X, Y ); //写地址
while (*s) // 写显示字符
{
LCD_write_data( *s );
s ++;
}
}
//LCD在任意位置写字符
//列x=0~15,行y=0,1
void LCD_write_char(unsigned char X,unsigned char Y,unsigned char data)
{
LCD_set_xy( X, Y ); //写地址
LCD_write_data( data);
}

//延时函数//////////////////////////////////////////////////////////////////////
//1us延时函数
void delay_1us(void)
{
asm("nop");
}
//N us延时函数
void delay_nus(unsigned int n)
{
unsigned int i;
for (i=0;i<n;i++)
delay_1us();
}
//1ms延时函数
void delay_1ms(void)
{
unsigned int i;
for (i=0;i<1140;i++);
}
//N ms延时函数
void delay_nms(unsigned int n)
{
unsigned int i=0;
for (i=0;i<n;i++)
delay_1ms();
}

#include <msp430x13x.h>

////预定义函数//////////////////////////////////////////////////////////////////
void LED_595(char SMG1,char SMG2,char SMG3,char SMG4);//4位LED数码管显示子程序
void Led_out(unsigned char X);//74HC595串行输出子程序
void A16(unsigned int dd);// 16进制到4位10进制转换
const unsigned char LED_0_F[];//LED数码管段码转换表

void Flash_clr( int *Data_ptr );
void Flash_ww( int *Data_ptr, int word );
void Flash_wb( char *Data_ptr, char byte );

////变量定义////////////////////////////////////////////////////////////////////
unsigned char Buffer[4];

void main(void)
{
char *point,*readaa; // 定义2个指针，分别指向flash和变量aa
char aa;

//初始化IO口用于显示
P5DIR =0; //P5口全部设为输入口
P5SEL =0; //将P5口所有的管脚设置为一般I/O口
P5DIR |= BIT0; //将P5.0 P5.2 P5.4设置为输出方向
P5DIR |= BIT2;
P5DIR |= BIT4;

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //停止watchdog
_DINT(); //对FLASH操作之前必须关闭中断

readaa=&aa; //读取变量aa的地址；
//在watch观察窗中可以通过readaa看到aa所在的地址及内容
point=(char*)0xcb10; //设置要读取的flash地址为“0xcb10”
//在watch观察窗中可以通过point看到0xcb10所在地址的内容
*readaa=*point; //将flash数据读入aa
aa=*point; //另一种将flash数据读入aa的方法

aa++;

Flash_clr((int*)0xcb00); //擦除0xcb00所在段，只有擦除才能将0写回1
Flash_wb((char*)0xcb10,aa); //向0xcb10写入新的aa（字节）


while(1)
{
A16(aa);
LED_595(Buffer[0],Buffer[1],Buffer[2],Buffer[3]);
}
}

//***FLASH操作类函数集**********************************************************
//-----------------------------------------------------------------
// Flash_wb
//-----------------------------------------------------------------
// 将1个字节(8 bit)写入到flash memory中
void Flash_wb( char *Data_ptr, char byte )
{
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* WRT = 1 */
*Data_ptr=byte; /* program Flash word */
FCTL1 = 0x0A500; /* WRT = 0 */
FCTL3 = 0x0A510; /* Lock = 1 */
}
//-----------------------------------------------------------------
// Flash_ww
//-----------------------------------------------------------------
// 将1个字节(16 bits)写入到flash memory中

void Flash_ww( int *Data_ptr, int word )
{
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* WRT = 1 */
*Data_ptr=word; /* program Flash word */
FCTL1 = 0x0A500; /* WRT = 0 */
FCTL3 = 0x0A510; /* Lock = 1 */
}
//-----------------------------------------------------------------
// Flash_clr
//-----------------------------------------------------------------
// 擦除1个段的flash memory
void Flash_clr( int *Data_ptr )
{
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A502; /* ERASE = 1 */
*Data_ptr=0; /* erase Flash segment */
FCTL1 = 0x0A500; /* ERASE = 0 */
FCTL3 = 0x0A510; /* Lock = 1 */
}

//***显示类函数集***************************************************************
//------------------------------------------------------
// 4位LED数码管显示子程序
//
// 人口参数：SMG1,SMG2,SMG3,SMG4——待显示的数据
//
void LED_595(char SMG1,char SMG2,char SMG3,char SMG4)
{
char z;
//最高位（最左侧）LED数码管显示---------------------
z = LED_0_F[SMG1];
Led_out(z); //段码输出
z = 0xFE; //位码
Led_out(z); //位码输出

P5OUT &=~(BIT4); //显示输出
P5OUT |=BIT4;

//次高位（左数第2个）LED数码管显示---------------------
z = LED_0_F[SMG2];
Led_out(z); //段码输出
z = 0xFD; //位码
Led_out(z); //位码输出

P5OUT &=~(BIT4); //显示输出
P5OUT |=BIT4;

//次低位（左数第3位）LED数码管显示---------------------
z = LED_0_F[SMG3];
Led_out(z); //段码输出
z = 0xFB; //位码
Led_out(z); //位码输出

P5OUT &=~(BIT4); //显示输出
P5OUT |=BIT4;

//最低位（左数第4位）LED数码管显示---------------------
z = LED_0_F[SMG4];
Led_out(z); //段码输出
z = 0xF7; //位码
Led_out(z); //位码输出

P5OUT &=~(BIT4); //显示输出
P5OUT |=BIT4;
}

//------------------------------------------------------
// 用于74HC595的LED串行移位子程序
//
// 人口参数：X——待输出的数据
//
void Led_out(unsigned char X)
{
unsigned char i;
for(i=8;i>0;i--)
{
if (X&0x80) P5OUT |=BIT0; else P5OUT &=~(BIT0);
X<<=1;
P5OUT &= ~(BIT2); //P5.2管脚输出低电平
P5OUT |= BIT2; //P5.2管脚输出高电平
}
}

1.8～3.6V工作电压，2.7～3.6V编程电压；
擦除/编程次数可达100000次：
数据保持时间从10年到100年不等：
60KB空间编程时间<5秒：
保密熔丝烧断后不可恢复，不能再对JTAG进行任何访问；
FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制，无任何软件干预；

二、FLASH存储器的操作

由于FLASH存储器由很多相对独立的段组成，因此可在一个段中运行程序，而对另一个段进行擦除或写入操作。正在执行编程或擦除等操作的FLASH段是不能被访问的，因为这时该段是与片内地址总线暂时断开的。

对FLASH模块的操作可分为3类：擦除、写入及读出。而擦除又可分为单段擦除和整个模块擦除；写入可分为字写入、字节写入、字连续写入和字节连续写入

1.FLASH擦除操作：对FLASH要写入数据，必须先擦除相应的段，对FLASH存储器的擦除必须是整段地进行，可以一段一段地擦除，也可以多端一起擦除，但不能一个字节或一个字地擦除。擦除之后各位为1。擦除操作的顺序如下：

选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器提供正确时钟输入
如果Lock=1，则将它复位
****BUSY标志位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直****BUSY
如果擦除一段，则设置ERASE=1
如果擦除多段，则设置MERAS=1
如果擦除整个FLASH，则设置RASE=1，同时MERAS=1
对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入，用以启动擦除操作。
在擦除周期选择的时钟源始终有效
在擦除周期不修改分频因子
在BUSY=1期间不再访问所操作的段
电源电压应符合芯片的相应要求

对FLASH擦除要做4件事

对FLASH控制寄存器写入适当的控制位
****BUSY位
空写一次
等待

2.FLASH编程操作。对FLASH编程按如下顺序进行：

选择适当的时钟源和分频因子
如果Lock=1，则将它复位
****BUSY标志位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直****BUSY
如果写入单字或单字节，则将设置WRT=1
如果是块写或多字、多字节顺序写入，则将设置WRT=1，BLKWRT=1
将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发生器的控制下完成整个过程

块写入可用于在FLASH段中的一个连续的存储区域写入一系列数据。一个块为64字节长度。块开始在0XX00H、0XX40H、0XX80H、0XXC0H等地址，块结束在0XX3FH、0XX7FH、0XXBFH、0XXFFH等地址。块操作在64字节分界处需要特殊的软件支持，操作如下：

等待WAIT位，直到WAIT=1，表明最后一个字或字节写操作结束
将控制位BLKWRT复位
保持BUSY位为1，直到编程电压撤离FLASH模块
在新块被编程前，等待trcv（编程电压恢复时间）时间

在写周期中，必须保证满足以下条件：

被选择的时钟源在写过程中保持有效
分频因子不变
在BUSY=1期间，不访问FLASH存储器模块

对FLASH写入要做4件事

对FLASH控制寄存器写入适当的控制位
****BUSY位
写一个数据
继续写一直到写完

3.FLASH错误操作的处理：在写入FLASH控制寄存器控制参数时，可引发以下错误：

如果写入高字节口令码错误，则引发PUC信号。小心操作可避免
在对FLASH操作期间读FLASH内容，会引发ACCVFIG状态位的设置。小心操作可避免
在对FLASH操作期间看门狗定时器溢出。建议用户程序在进行FLASH操作之前先停止看门狗定时器，等操作结束后再打开看门狗
所有的FLASH类型的MSP430器件0段都包含有中断向量等重要的程序代码，如果对其进行擦除操作，将会引起严重的后果
不要在FLASH操作期间允许中断的发生

4.FLASH操作小结

对FLASH的操作是通过对3个控制字中的相应位来完成的，只有控制位的唯一组合才能实现相应的功能。下表给出了正确的控制位组合：

三、FLASH寄存器说明

允许编程、擦除等操作首先要对3个控制寄存器（FCTL1、FCTL2、FCTL3）的各位进行定义。它们使用安全键值（口令码）来防止错误的编程和擦除周期，口令出错将产生非屏蔽中断请求。安全键值位于每个控制字的高字节，读时为96H，写时为5AH。

1．FCTL1 控制寄存器1（用于控制所有写/编程或者删除操作的有效位），各位定义如下：

BLKWRT——段编程位。如果有较多的连续数据要编程到某一段或某几段，则可选择这种方式，这样可缩短编程时间。在一段程序完毕，再编程其它段，需对该位先复位再置位，在下一条写指令执行前WAIT位应为1。

0：未选用段编程方式
1：选用段编程方式

WRT——编程位

0：不编程，如对FLASH写操作，发生非法访问，使ACCVIFG位置位；
1：编程

MERAS——主存控制擦除位

0：不擦除
1：主存全擦除，对主存空写时启动擦除操作，完成后MERAS自动复位

ERASE——擦除一段控制位

0：不擦除
1：擦除一段。由空写指令带入段号来指定擦除哪一段，操作完成后自动复位

2．FCTL2 控制寄存器2（对进入时序发生器的时钟进行定义），各位定义如下：

SSEL1、SSEL0——选择时钟源

0：ACLK
1：MCLK
2：SMCLK
3：SMCLK

FN5～FN0——分频系数选择位

0：直通
1：2分频
2：3分频
......
63：64分频

3．FCTL3 控制寄存器3（用于控制FLASH存储器操作，保存相应的状态标志和错误条件），各位定义如下：

EMEX——紧急退出位。对FLASH的操作失败时使用该位作紧急处理

0：无作用
1：立即停止对FLASH的操作

Lock——锁定位，给已经编程好的FLASH存储器加锁

0：不加锁，FLASH存储器可读、可写、可擦除
1：加锁，加锁的FLASH存储器可读、不可写、不可擦除

WAIT——等待指示信号，该位只读。

0：段编程操作已经开始，编程操作进行中
1：段编程操作有效，当前数据已经正确地写入FLASH存储器，后续编程数据被列入计划

ACCVIFG——非法访问中断标志。当对FLASH阵列进行编程或擦除操作时不能访问FLASH，否则将使得该位置位

0：没有对FLASH存储器的非法访问
1：有对FLASH存储器的非法访问

KEYV——安全键值（口令码）出错标志位

0：对3个控制寄存器的访问，写入时高字节是0A5H
1：对3个控制寄存器的访问，写入时高字节不是0A5H，同时引发PUC信号
KEYV不会自动复位，须用软件复位

BUSY——忙标志位。该位只读。每次编程或擦除之前都应该检查BUSY位。当编程或擦除启动后，时序发生器将自动设置该位为1，操作完成后BUSY位自动复位

0：FLASH存储器不忙
1：FLASH存储器忙

//******************************************************************************
// D13x 实例4 - 12位AD转换
//
// 描述：系统处于休眠状态LPM0
// 如果AD采样值大于等于7FF小灯点亮；如果小于7FF小灯熄灭。
// ACLK= n/a, MCLK= SMCLK= default DCO ~ 800k
//
// MSP430F13x
// -------------------
// /|\| XIN|-
// | | | 32kHz
// --|RST XOUT|-
// | |
// Vin-->|P6.0/A0 P1.5|--> LED
//
// 时间：2007年10月
// www.goodmcu.cn
//
// 硬件电路：MSP430F135核心实验板-I型
// 硬件连接：
//
// 调试器：MSP430FET全系列JTAG仿真器
// 调试软件： IAR Embedded Workbench Version: 3.41A 编译
//******************************************************************************

#include <msp430x13x.h>

void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop WDT
ADC12CTL0 = SHT0_2 + ADC12ON; // 设置采样时间, 打开 ADC12
ADC12CTL1 = SHP; // 打开采样定时器
ADC12IE = 0x01; // AD0采样结束允许中断
ADC12CTL0 |= ENC; // AD转换使能
P6SEL |= 0x01; // 选择 P6.0 功能为 ADC
P1DIR |= 0x20; // P1.5 输出口

for (;;)
{
ADC12CTL0 |= ADC12SC; // 转换打开
_BIS_SR(CPUOFF + GIE); // LPM0, ADC12_ISR will force exit
}
}

// ADC12 中断处理程序
#pragma vector=ADC12_VECTOR //Timer_A中断函数
__interrupt void ADC()
{
if (ADC12MEM0 < 0x7FF)
P1OUT &= ~0x20; // 小于7FF 关闭 P1.5 LED 灯
else
P1OUT |= 0x20; // 点亮 P1.5 LED 灯
_BIC_SR_IRQ(CPUOFF); // Clear CPUOFF bit from 0(SR)
}

//*******************************************************************************
// 描述：MSP430实现PWM。反映在LED灯上，可以看到LED灯的亮度不断变化
//
// ACLK= n/a, MCLK= SMCLK= default DCO ~ 800k
//
// MSP430F13x
// -------------------
// /|\| XIN|-
// | | | 32kHz
// --|RST XOUT|-
// | |
// | P1.2|-->LED
//
// 时间：2007年10月
// www.goodmcu.cn
//
// 硬件电路：MSP430F135核心实验板-I型
// 硬件连接：
//
// 调试器：MSP430FET全系列JTAG仿真器
// 调试软件： IAR Embedded Workbench Version: 3.41A 编译
//******************************************************************************
#include <msp430x13x.h>

void Init_CLK(void);
void Init_TimerA(void);

unsigned int nCount;

void Init_CLK(void)
{
unsigned int i;
//将寄存器的内容清零
//XT2震荡器开启
//LFTX1工作在低频模式
//ACLK的分频因子为1
BCSCTL1 = 0X00;

do
{
// 清除OSCFault标志
IFG1 &= ~OFIFG;
for (i = 0x20; i > 0; i--);
}
while ((IFG1 & OFIFG) == OFIFG);

BCSCTL2 = 0X00;
//MCLK的时钟源为TX2CLK:2.048MHz，分频因子为0
BCSCTL2 += SELM1 + DIVM_0;
//SMCLK的时钟源为TX2CLK:2.048MHz，分频因子为1
BCSCTL2 += SELS + DIVS_0;
return;
}
void Init_TimerA(void)
{
nCount = 0;

TACTL = TASSEL1 + TACLR; // 选择SMCLK，清除TAR
CCTL0 = CCIE; // CCR0 中断允许
CCR0 = 65535 - 1; // PWM周期为256
CCTL1 = OUTMOD_7; // CCR1输出模式为“复位/置位”模式
TACTL |= MC1; // 增记数模式
return;
}

#pragma vector=TIMERA0_VECTOR //Timer_A中断函数
__interrupt void TimerA_ISR()
{
nCount += 655;
CCR1 = nCount;
}

int main(void)
{
// 关闭看门狗
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

P1DIR |= BIT2; // P1.2为输出
P1SEL |= BIT2; // 选择P1.2为TA1管脚
// 关闭中断
_DINT();

// 初始化
Init_CLK();
Init_TimerA();
// 打开中断
_EINT();
for(;;)
{
//CUP进入低功耗模式
_BIS_SR(LPM0_bits);
_NOP();
}
}

ADC12提供4种转换模式：

单通道单次转换

对选定的通道进行单次转换要进行如下设置：
x=CSStartAdd，指向转换开始地址
ADC12MEMx存放转换结果
ADC12IFG.x为对应的中断标志
ADC12MCTLx寄存器中定义了通道和参考电压
转换完成时必须使ENC再次复位并置位（上升沿），以准备下一次转换。在ENC复位并再次置位之前的输入信号将被忽略。

序列通道单次转换

对序列通道进行单次转换要进行如下设置：
x=CSStartAdd，指示转换开始地址
EOS（ADC12MCTLx.7）=1标志序列中最后通道y，非最后通道的EOS位都是0，表示序列没有结束。
ADC12MEMx，...ADC12MEM.y存放转换结果
ADC12IFG.x，...ADC12IFG.y为对应的中断标志
ADC12MCTLx寄存器中定义了通道和参考电压
转换完成时必须使ENC再次复位并置位（上升沿），以准备下一次转换。在ENC复位并再次置位之前的输入信号将被忽略。

单通道多次转换

对选定的通道进行多次转换，直到关闭该功能或ENC=0。进行如下设置：
x=CSStartAdd，指向转换开始地址
ADC12MEMx存放转换结果
ADC12MCTLx寄存器中定义了通道和参考电压
在这种模式下，改变转换模式，不必先停止转换，在当前正在进行的转换结束后，可改变转换模式。该模式的停止可有如下几种办法：
使用CONSEQ=0的办法，改变为单通道单次模式。
使用ENC=0直接使当前转换完成后停止。
使用单通道单次模式替换当前模式，同时使ENC=0

序列通道多次转换

对序列通道进行多次转换，直到关闭该功能或ENC=0。进行如下设置：
x=CSStartAdd，指示转换开始地址
EOS（ADC12MCTLx.7）=1标志序列中最后通道y。
ADC12MCTLx寄存器中定义了通道和参考电压
改变转换模式，不必先停止转换。一旦改变模式（单通道单次模式除外），将在当前序列完成后立即生效

不论用户使用何种转换模式，都要处理以下问题：

设置具体模式
输入模拟信号
关注转换结束信号
存放转换数据以及采用查询或者中断方式读取数据

二、ADC12寄存器说明

1．ADC12CTL0 控制寄存器0，各位定义：

ADC12SC——采样/转换控制位。在不同条件下，ADC12SC的含义如下所示：

ENC——转换允许位。

0：ADC12为初始状态，不能启动A/D转换；
1：首次转换由SAMPCON上升沿启动

ADC12TVIE——转换时间溢出中断允许位（当前转换还没完成时，又发生一次采样请求，则会发生转换时间溢出）

0：没发生转换时间溢出
1：发生转换时间溢出

ADC12OVIE——溢出中断允许位（当ADC12MEMx中原有数据还没有读出，而又有新的转换结果数据要写入时，则发生溢出）

0：没发生溢出
1：发生溢出

ADC12ON——ADC12内核控制位

0：关闭ADC12内核
1：打开ADC12内核

REFON——参考电压控制位

0：内部参考电压发生器关闭
1：内部参考电压发生器打开

2.5V——内部参考电压的电压值选择位

0：选择1.5V内部参考电压
1：选择2.5V内部参考电压

MSC——多次采样转换位（CONSEQ<>0表示当前转换模式不是单通道单次转换）

SHT1、SHT0——采样保持定时器1，采样保持定时器0

分别定义保存在转换结果寄存器ADC12MEM8～ADC12MEM15和ADC12MEM0～ADC12MEM7中的转换采样时序与采样时钟ADC12CLK的关系。采样周期是ADC12CLK周期乘4的整数倍，即：

2．ADC12CTL1 转换控制寄存器1（大多数3～15位，只有在ENC=0时才可被修改），各位定义：

CSSTARTADD——转换存储器地址位。该4位所表示的二进制数0～15分别对应ADC12MEM0～15。可以定义单次转换地址或序列转换的首地址。

SHS——采样触发输入源选择位。

0：ADC12SC
1：Timer_A.OUT1
2：Timer_B.OUT0
3：Timer_B.OUT1

SHP——采样信号（SAMPCON）选择控制位。

0：SAMPCON源自采样触发输入信号
1：SAMPCON源自采样定时器，由采样输入信号的上升沿触发采样定时器

ISSH——采样输入信号方向控制位

0：采样输入信号为同向输入
1：采样输入信号为反向输入

ADC12DIV——ADC12时钟源分频因子选择位。分频因子为该3位二进制数加1

ADC12SSEL——ADC12内核时钟源选择

0：ADC12内部时钟源——ADC12OSC
1：ACLK
2：MCLK
3：SMCLK

CONSEQ——转换模式选择位

0：单通道单次转换模式
1：序列通道单次转换模式
2：单通道多次转换模式
3：序列通道多次转换模式

ADC12BUSY——ADC12忙标志（只用于单通道单次转换模式，在其它转换模式下，该位无效）

0：表示没有活动的操作
1：表示ADC12正处于采样期间、转换期间或序列转换期间

3．ADC12MEM0～ADC12MEM15 转换存储寄存器

该组寄存器均为16位寄存器，用来存放A/D转换结果。中用其中低12位，高4位在读出时为0

4．ADC12MCTLx 转换存储控制寄存器（所有位只有在ENC为低电平时可修改，在POR时各位被复位）

对于每个转换存储器有一个对应的转换存储器控制寄存器，所以在进行CSSTARTADD转换存储器地址位设置的同时，也确定了ADC12MCTLx。该寄存器各位含义如下：

EOS——序列结束控制位

0：序列没有结束
1：该序列中最后一次转换

SREF——参考电压源选择位

0：Vr＋＝AVcc，Vr－＝AVss
1：Vr＋＝VREF＋，Vr－＝AVss
2，3：Vr＋＝VEREF+，Vr－＝AVss
4：Vr＋＝AVcc，Vr－＝VREF-/VEREF-
5：Vr＋＝VREF+，Vr－＝VREF-/VEREF-
6，7：Vr＋＝VEREF+，Vr－＝VREF-/VEREF-

INCH——选择模拟输入通道

0～7：A0～A7
8：VeREF+
9：VREF-/VeREF-
10：片内温度传感器的输出
11～15：（AVCC-AVSS）/2

5．ADC12IFG 中断标志寄存器 为16位，其中中断标志位ADC12IFG.x对应于转换存储寄存器ADC12MEMx。各位含义如下：

ADC12IFG.x置位：转换结束，并且转换结果已经装入转换存储寄存器。
ADC12IFG.x复位：ADC12MEMx被访问。

6．ADC12IE 中断使能寄存器 为16位，对应于ADC12IFG寄存器。各位含义如下：

ADC12IE.x=1：允许相应的中断标志位ADC12IFG.x在置位时发生的中断请求服务。
ADC12IE.x=0：禁止相应的中断标志位ADC12IFG.x在置位时发生的中断请求服务。

7．ADC12IV 中断向量寄存器

ADC12是一个多源中断：有18个中断标志（ADC12IFG.0～ADC12IFG.15与ADC12TOV，ADC12OV），但只有一个中断向量。所以需要设置这18个标志的优先级顺序，按照优先级顺序安排中断标志的响应，高优先级的请求可以中断正在服务的低优先级。如下表所示：

各中断标志会产生一个0～36的偶数。

ADC12OV和ADC12TOV会在访问ADC12IV后自动复位。但在响应了ADC12IFG.x标志对应的中断服务之后，相应的标志不自动复位，用以保证能处理发生溢出的情况。

//*******************************************************************************
// D13x Demo - 利用Timer_A及中断实现RTC，观察LED灯的闪烁频率
//
// 描述：利用Timer_A及中断实现RTC；通过 P1 异或 来取反 P1.5；
// 系统处于休眠状态LPM3，中断时唤醒执行P1.5切换
// ACLK= n/a, MCLK= SMCLK= default DCO ~ 800k
//
// MSP430F13x
// -------------------
// /|\| XIN|-
// | | | 32kHz
// --|RST XOUT|-
// | |
// | P1.5|-->LED
//
// 时间：2007年10月
// www.goodmcu.cn
//
// 硬件电路：MSP430F135核心实验板-I型
// 硬件连接：
//
// 调试器：MSP430FET全系列JTAG仿真器
// 调试软件： IAR Embedded Workbench Version: 3.41A 编译
//******************************************************************************

#include <msp430x13x.h>

void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // 停止看门狗
TACTL = TASSEL0 + TACLR; // ACLK, 清 TAR
CCTL0 = CCIE; // CCR0 中断使能
CCR0 = 16384; // 设定中断间隔，32768Hz晶振，0.5s
P1DIR |= 0x20; // P1.5为输出口
TACTL |= MC0; // Timer_a 为增量计数模式
_EINT(); // 开中断

for (;;)
{
_BIS_SR(LPM3_bits); // 进入 LPM3
}
}

#pragma vector=TIMERA0_VECTOR //Timer_A中断函数
__interrupt void TimerA_ISR()
{
P1OUT ^= 0x20; // 通过异或取反P1.5
}

//*******************************************************************************
// D13x Demo - 在上一节基础上改变系统时钟，观察LED灯的闪烁频率
//
// 描述：通过改变系统时钟，来改变闪烁频率；通过 P1 异或 来取反 P1.5；软件循环延时
// ACLK= n/a, MCLK= SMCLK= default DCO ~ 800k
//
// MSP430F13x
// -----------------
// /|\| XIN|-
// | | |
// --|RST XOUT|-
// | |
// | P1.5|-->LED
//
// 时间：2007年10月
// www.goodmcu.cn
//
// 硬件电路：MSP430F135核心实验板-I型
// 硬件连接：
//
// 调试器：MSP430FET全系列JTAG仿真器
// 调试软件： IAR Embedded Workbench Version: 3.41A 编译
//******************************************************************************

#include <msp430x13x.h>

void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // 停止看门狗

P1DIR |= 0x20; // 设P1.5为输出口

// BCSCTL1= 0x80; //分频电阻选择为0（此时闪烁频率较慢）
// BCSCTL1= 0x87; //分频电阻选择为7（此时闪烁频率较快）

// BCSCTL2= 0xc0; //选择外部32768低频晶振作为MCLK（此时闪烁频率极慢）
// BCSCTL2= 0x10; //选择外部8M高频晶振作为MCLK（此时闪烁频率较快）

for (;;)
{
unsigned int i;
i = 50000; // 循环
do i--; while (i);
P1OUT ^= 0x20; // 通过异或取反P1.5
}
}

一、TimerA的4种工作模式

1.停止模式

用于定时器暂停，并不发生复位，所有寄存器现行的内容在停止模式结束后都可用。当定时器暂停后重新计数时，计数器将从暂停时的值开始以暂停前的计数方向计数。

2.增计数模式

捕获/比较寄存器CCR0用作Timer_A增计数模式的周期寄存器。因为CCR0为16位寄存器，所以该模式适用于定时器周期小于65536的连续计数情况。计数器TAR可以增计数到CCR0的值，当计数值与CCR0的值相等（或定时器值大于CCR0的值）时，定时器复位并从0开始重新计数。

3.连续计数模式

在需要65536个时钟周期的定时应用场合常用连续计数模式。定时器从当前值计数到0FFFH后，又从0开始重新计数。

连续计数模式的典型应用：
产生多个独立的时序信号。利用捕获比较寄存器捕获各种其它外部事件发生的定时器数据。
产生多个定时信号。

4.增/减计数模式

需要生成对称波形的情况经常可以使用增/减计数模式。该模式下，定时器先增计数到CCR0的值，然后反向减计数到0。计数周期仍由CCR0定义，它是CCR0计数器值的2倍。

二、TimerA寄存器说明

1．TACTL 控制寄存器，各位定义：

SSEL1、SSEL0选择进入定时器分频器的时钟源，

ID1、ID0输入分频系数

MC1、MC0计数模式控制位

CLR——定时器清除。当该位为1时，定时器复位。

TAIE——定时器中断允许位。0：禁止定时器溢出中断；1：允许定时器溢出中断。

TAIFG——定时器溢出标志位。

增计数模式：当定时器由CCR0计数到0时，TAIFG置位；
连续计数模式：当定时器由0FFFFH计数到0时，TAIFG置位；
增/减计数模式：当定时器由CCR0减计数到0时，TAIFG置位。

2．TAR 16位计数器。

3．CCTLx 捕捉/比较控制寄存器，各位定义：

CAPTMOD1~0——选择捕获模式

00：禁止捕获模式
01：上升沿捕获
10：下降沿捕获
11：上升沿与下降沿都捕获

CCIS1~0——捕获事件输入源

00：选择CCIxA
01：选择CCIxB
10：选择GND
11：选择Vcc

SCS——选择捕获信号与定时器时钟同步、异步关系

0：异步捕获
1：同步捕获（实际中经常使用同步模式，捕获总是有效的）

SCCIx——比较相等信号EQUx将选中的捕获/比较输入信号CCIx（CCIxA，CCIxB，Vcc和GND）进行锁存，然后可由SCCIx读出。

CAP——选择捕获模式还是比较模式。

0：比较模式
1：捕获模式

OUTMODx——选择输出模式

000：输出
001：置位
010：PWM翻转/复位
011：PWM置位/复位
100：翻转
101：复位
110：PWM翻转/置位
111：PWM复位/置位

CCIEx——捕获/比较模块中断允许位

0：禁止中断
1：允许中断

CCIx——捕获/比较模块的输入信号

捕获模式：由CCIS0和CCIS1选择的输入信号可通过该位读出
比较模式：CCIx复位

OUT——输出信号（如果OUTMODx选择输出模式0，则该位对应于输入状态）

0：输出低电平
1：输出高电平

COV——捕获溢出标志

0：没有捕获溢出
1：发生捕获溢出
当CAP=0时，选择比较模式。捕获信号发生复位。没有使COV置位的捕获事件
当CAP=1时，选择捕获模式。如果捕获寄存器的值被读出前再次发生捕获事件，则COV置位。程序检测COV来判断原值读出前是否又发生捕获事件。读捕获寄存器时不会使溢出标志复位，须用软件复位。

CCIFGx——捕获比较中断标志

捕获模式：寄存器CCRx捕获了定时器TAR值时置位
比较模式：定时器TAR值等于寄存器CCRx值时置位

4．CCRx 捕捉/比较寄存器：可读可写

在捕获模式，当满足捕获条件，硬件自动将计数器TAR数据写入该寄存器。
如果测量某窄脉冲（高电平）的脉冲长度，可定义上升沿和下降沿都捕获。在上升沿时，捕获一个定时器数据，这个数据在捕获寄存器中读出；再等待下降沿到来，在下降沿时又捕获一个定时器数据；那么两次捕获的定时器数据差就是窄脉冲的高电平宽度。
其中CCR0经常用作周期寄存器，其它CCRx相同。

5．TAIV 中断向量寄存器：

Timer_A模块使用两个中断向量。一个单独分配给捕获/比较寄存器CCR0；另一个作为共用中断向量用于定时器和其它的捕获/比较寄存器。

捕获/比较寄存器CCR0中断向量具有最高的优先级。因为CCR0能用于定义增计数和增/减计数模式的周期。因此，它需要最快速的服务。CCIFG0在被中断服务时能自动复位。

CCR1~CCRx和定时器共用另一个中断向量，属于多源中断，对应的中断标志CCIFG1~CCIFGx和TAIFG1在读中断向量字TAIV后，自动复位。如果不访问TAIV寄存器，则不能自动复位，须用软件清除。

SCG1：当SCG1复位时，使能SMCLK；SCG1置位则禁止SMCLK。

SCG0：当SCG0复位时，直流发生器被激活，只有SCG0被置位且DCOCLK信号没有用于MCLK或SMCLK，直流发生器才能被禁止。

OscOff：当OscOff复位时，LFXT晶体振荡器激活，只有当OscOff被置位且不用于MCLK或SMCLK时，LFXT晶体振荡器才能被禁止。

CPUOff：当CPUOff复位时，用于CPU的时钟信号MCLK被激活，当CPUOff置位时，MCLK停止。

控制位SCG1、SCG2、OscOff和CPUOff可由软件配置成6种不同的工作模式：1种活动模式和5种低功耗模式。如下表所示：

一、时钟源种类

LFXT1CLK低频时钟源——MSP430每一种器件都有

XT2CLK高频时钟源——存在于X13X、X14X、X15X、X16X、X43X、X44X等

DCOCLK数字控制RC振荡器

二、时钟源说明

ACLK辅助时钟：ACLK是LFXT1CLK（低频时钟源）信号经过1、2、4、8分频得到的。ACLK可由软件选为各个外围模块的时钟信号，一般用于低速外设。

MCLK系统主时钟：MCLK可由软件选择来自LFXT1CLK（低频时钟源）、XT2CLK（高频时钟源）、DCOCLK（数字控制RC振荡器）三者之一，然后经过1、2、4、8分频得到。MCLK主要用于CPU和系统。

SMCLK子系统时钟：可由软件选择来自LFXT1CLK（低频时钟源）和DCOCLK（数字控制RC振荡器），或者、XT2CLK（高频时钟源）和DCOCLK（数字控制RC振荡器）具体由器件决定，，然后经过1、2、4、8分频得到。SMCLK主要用于高速外围模块。

三、系统时钟寄存器说明

1．DCOCTLDCO控制寄存器，各位定义：

DCO.0——DCO.2定义8种频率之一，可分段调节DCOCLK频率，相邻两种频率相差10%。而频率由注入直流发生器的电流定义。

MOD.O——MOD.4定义在32个DCO周期中插入的fdco+l周期个数，而在余下的DCO周期中为fDco周期，控制切换DCO和DCO+1选择的两种频率。如果DCO常数为7，表示已经选择最高颂率，此时不能利用MOD.O-MOD.4进行频率调整。

2．BCSCTL1基本时钟系统控制寄存器1，各位定义：

XT2OFF控制 XT2 振荡器的开启与关闭。

XT2OFF=O，XT2振荡器开启；

XT2OFF=1，XT2振疡器关闭(默认XT2关闭)。

XTS控制 LFXTl 工作模武，选择需结合实际晶体振荡器连接情况。

XTS=O，LFXTl工作在低频模式 (默认低频模式)；

XTS=1，LFXTl工作在高频模式(必须连接有相应高频时钟源)。

DIVA.O，DIVA.l控制ACLK分频。

0不分频（默认不分频）；

12分频；

24分频；

38分频。

XT5V此位设置为0。

Rse1.O，Rsel.l，Rse1.2三位控制某个内部电阻以决定标称频率。

Rse1=0，选择最低的标称频率；

......

Rse1=7，选择最低的标称频率；

3．BCSCTL2基本时钟系统控制寄存器2，各位定义：

SELM.O，SELM.l选择 MCLK 时钟源。

0时钟源为 DCOLCK（默认时钟源）；

1时钟源为DCOCLK ;

2时钟源为LFXTlCLK(对于MSP430Fll/l2X)，

时钟源为XT2CLK(对于MSP430F13/14/15/16X)；

3时钟源为 LFXT1CLK 。

DIVM.O，DlVM.l选择 MCLK 分频。

01分频（默认MCLK=DCOCLK）；

12分频；

24分频；

38分频。

SELS选择 SMCLK 时钟源 。

0时钟源为 DCOCLK（默认肘钟源)；

1时钟源为 LFXTlCLK（对于MSP430Fll/l2X )，

时钟源为 XT2CLK(对于MSP430F13/14/15/16X)。

DIVS.O，DIVS.l选择 SMCLK 分频。

01分频（默认 SMCLK=MCLK)；

12分频；

24分频；

38分频。

DCOR选择 DCO 电阻。

0内部电阻；

1外部电阻。

Puc信号之后，DCOCLK被自动选作MCLK时钟信号，根据需要MCLK的时钟源可以另外设置为 LFXTl或者XT2。设置顺序如下：

（1）复位OscOff；

（2）清除OFIFG；

（3）延时等待至少50us；

（4）再次检查OFlFG，如果仍然置位，则重复（3）、（4）步骤，直到OFIFG=0止。